半导体行业主要材料光刻胶基本情况介绍

 导读：半导体行业主要材料光刻胶基本情况介绍。光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基衬底上的有机化合物。受紫外光曝光后，光刻胶在显影液中溶解度会发生变化，从液态变为固态。  

参考《2016-2022年中国光刻胶行业竞争现状及十三五运行态势预测报告》 

        1、光刻胶 

        光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基衬底上的有机化合物。受紫外光曝光后，光刻胶在显影液中溶解度会发生变化，从液态变为固态。 

        目前市场上的主要半导体光刻胶，从曝光波长来分，可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）和ArF（193nm）等4个种类。 

        2014年全球半导体光刻胶的市场需求为13.7亿美元，我国的半导体光刻胶市场需求为15.41亿元。目前半导体光刻胶的技术和市场基本被日美企业所垄断，我国整体技术落后国外2-3代，自给率不足10%，高端品种几乎完全依赖进口。 

                   国外主要产商                                        国内主要产商 

        2、光刻胶的种类 

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