在半导体晶圆制造和后端封装测试过程中均使用到了涉及电镀液、清洗液等功能材料化学品，此部分化学品具有用量少，销售价格高，下游客户粘性大的特点。
集成电路芯片主要是底层数以万计的电路通过互联而成，传统8寸一下晶圆制程工艺涉及铝互联工艺，随着晶圆制程技术水平加深，芯片尺寸逐步缩小，以硫酸铜为原液的电镀工艺逐步形成，实现在12寸晶圆制程中铜互联工艺达到几十层的效果，每一层都需要经过刻蚀、显影、电镀铜、光刻胶清洗和剥离等诸多工艺，最终使得电路按照设计互联，从效果层面来讲主要是在晶圆沟槽上采用电镀的方法沉积、填充金属铜的工艺。
图：晶圆加工制程中铜互联功能化学品产品应用
参考观研天下相关发布的《2018-2023年中国半导体产业市场现状规划调查与投资价值前景评估报告》在下游封装领域，由于国内封装规模迅速扩大，电子终端产品不断更新换代，对半导体产品提出提高集成度、缩小产品体积、降低成本等要求，新的晶圆级封装技术不断出现，传统封装工艺是在晶圆加工后首先切割，后续封装；晶圆级新型装技术多采用晶圆凸块（Bumping）以及硅通孔（TSV）的封装工艺，是实现整体封装后后续切割加工。新型封装技术与传统封装技术对应着不同的终端产品，对于传统封装业务实现有效互补。
图：传统芯片制造封装与晶圆级芯片制造封装工艺对比
1） 形成有铝接触点的晶圆；
2） 溅射Ti/Cu合金；
3） 涂抹光刻胶；
4） 显影曝光；
5） 电镀铜/焊料；
6） 去除光刻胶；
7） 凸点下金属层（UBM）的剥离与清洗。
在其中第5步涉及铜电镀液使用，第6步、第7步涉及光刻胶配套功能化学品的使用。
晶圆硅通孔（TSV）镀铜工艺包括：
1） 旋转涂布光刻胶；
2） 模板遮挡曝光显影；
3） 刻蚀去除二氧化硅层；
4） 打孔（形成硅层通孔）；
5） 去除光刻胶层；
6） PVD（物理气相沉积）法溅射种子层与阻挡层；
7） 铜电镀液电镀填孔。
其中第5步涉及光刻胶配套功能化学品的使用，第7步涉及铜互联电镀液的使用。
根据预计，2017年至2020年，全球将有62座新的晶圆厂投产，这些新增的晶圆厂以量产晶圆厂占大多数，只有7座为研发或试产厂。其中将有26座新晶圆厂座落在中国，在新增晶圆中占比达42%。这些位于大陆的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产，2018年则达到高峰，共13座晶圆厂加入营运，这些将于2018年完工的晶圆厂多数为晶圆代工厂。美国将有10座晶圆厂位居第二，中国台湾地区估计也会有9座，欧洲、韩国和日本则共计17座。
图：2017-2020年全球新增晶圆厂分布
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