参考观研天下发布《2019年中国IGBT行业分析报告-行业现状与发展前景预测》
特性 |
BIT |
MOSFET |
IGBT |
驱动方式 |
电流 |
电压 |
电压 |
驱动电路 |
复杂 |
简单 |
简单 |
输入阻抗 |
低 |
高 |
高 |
驱动功率 |
高 |
低 |
低 |
开关速度 |
慢 |
快 |
居中 |
工作频率 |
低 |
高 |
居中 |
饱和压降 |
低 |
高 |
低 |
资料来源:互联网
IGBT是功率半导体中的关键产品门类。作为新一代的功率半导体,IGBT性能十分优异,适用于各类需要进行交直流转换、电流电压转换的应用场景。在电网输变电、新能源汽车、轨道交通、新能源、变频家电等领域发挥巨大的作用。SiC和GaN等化合物半导体是新兴的发展热点,在高压、高频、高温、高功率应用市场优势显著,是未来技术的发展方向和应用市场的需求方向。2017年,全球IGBT芯片和模组的市场规模为40.6亿美元,约占全球功率器件市场总规模的19%。其中,IGBT芯片和模组的市场规模分别为10.3亿美元和30.3亿美元。2018年,受功率器件涨价影响,预计市场规模将增长至49.1亿美元。
从应用市场划分来看,汽车和工业是IGBT最主要的两个市场,占比分别达到27%和28%。
全球IGBT市场主要竞争者包括德国英飞凌(Infineon)、日本三菱、富士电机、美国安森美(On Semi)、瑞士ABB等,前五大企业的市场份额超过70%。
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