2015年3D NAND FLASH驱动存储芯片市场发展现状分析

导读： 2015年3D NAND FLASH驱动存储芯片市场发展现状分析。近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，NAND FLASH 制造技术向 3D 技术发展。3D NAND FLASH 通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。

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　　存储器是半导体三大支柱产业之一。据 IC Insights 数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015 年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的 32%。

　　近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，NAND FLASH 制造技术向 3D 技术发展。3D NAND FLASH 通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3D NAND FLASH 不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3D NAND 比 20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用 3D NAND Flash 存储器的固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。3D 技术不仅使产品性能至少提升 20%，而且功耗可以降低 40%以上。TLC V-NAND 闪存相比传统的平面闪存的密度提升了 1 倍。

　　全球晶圆厂就支出成长率来看，最大成长动力来自3D NAND（包括3DXPoint）。2014 年支出为 18 亿美元，到 2015 年倍增至 36 亿美元，成长幅度高达 101%。2016 年支出将再增加 50%，上扬 56 亿美元以上。

　　NAND Flash 领域霸主三星市占率稳定在 31~35%左右，并拥有独家 3DNANDFlash 堆叠技术。

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