Micro LED 是指在芯片上集成的高密度微尺寸 LED 阵列，每个像素点定址化、单独驱动，具有自发光特性。相比于当前显示技术主流 OLED 和 LCD，Micro LED 结构更加简单，性能优势更加明显，具有高亮度、低能耗、使用寿命长、无影像烙印、响应速度快等优点，可广泛应用于面板显示器、AR/VR 设备、户外显示器、头戴式显示器（HMD）、抬头显示器（HUD）、无限光通讯、投影机等领域。目前，苹果收购 LuxVue 科技公司，布局 Micro LED 在可穿戴设备市场应用。三星、索尼布局 Micro LED 大屏显示应用，分别推出 Micro LED 产品“CLEDIS”和“The Wall”。美国 Vuzix 和英半导体公司 Plessey 共同合作开发 Micro LED 显示引擎用于下一代 AR 智能眼镜。据预测，至 2025 年 Micro LED 显示市场出货量可达 3.3 亿片，市场产值将达到 28.91 亿美元。
1.1. LED 微缩化和矩阵化技术
Micro LED 是指在芯片上集成的高密度微尺寸的 LED 阵列结构，达到薄膜化、微小化，尺寸控制在 1-10μm 左右。Micro LED 上每一点画素（pixel）都能定址化、单独驱动发光，将像素点距离从毫米级降低至微米级，具有自发光显示特性。图表：Micro LED 示意图
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倒装 Micro LED 芯片由 n 型和 p 型半导体及其中间的多量子阱有源区构成，通过传统 LED 外延晶片制备。Micro LED 材料取决于所需的发射波长：蓝绿光 LED 采用 GaN 基晶圆，红色 LED 采用 AlGaInP 基晶圆。多层 GaN 材料首先生长在蓝宝石衬底上，AlGaInP 多层材料首先在 GaP 上生长。每个 LED 台阶通过一系列光刻、刻蚀来完成。
图表：Micro LED 阵列的结构和布局
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Micro LED 在垂直维度上尺寸也有很大的缩小。以 AlGaInP 倒装芯片为例，除量子阱层（MQW）外，其余各层厚度均有减小。相比于传统的红色 LED，总厚度从 6.48μm 减至 3.63μm，厚度缩减近 50%。其芯片主要加工制造流程包括离子沉积、衬底去除、N 型金属沉积、刻蚀加工、P 型金属沉积等。
参考观研天下发布《2018年中国电子元器件行业分析报告-市场运营态势与发展前景预测》
图表：Micro LED 与传统 LED 厚度对比图
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图表：Micro LED 芯片制备流程图
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