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我国存储芯片行业市场规模稳步增长 国内外厂商差距逐渐缩小

       存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储,根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。存储芯片的主要产品包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP等。
资料来源:观研天下整理

       存储芯片是电子系统中存储和计算数据的载体,是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。在国内市场,随着中国在电子制造领域技术水平的不断提升,国内存储芯片产品的需求量逐步攀升,据统计,2018年我国存储芯片市场规模为5,775亿元,同比增长34.18%,预计2023年国内存储芯片市场规模将达6,492亿元,未来发展空间广阔。

2014-2023年我国存储芯片行业市场规模、增速及预测
 
数据来源:观研天下整理

       从全球市场来看,存储芯片行业集中度高,呈寡头垄断格局,由三星、SK海力士、美光主导。但近年来国内厂商奋力追赶,已在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距。现阶段,国内优秀的存储芯片厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新、普冉股份等。

项目

华邦电子

旺宏电子

兆易创新

普冉股份

经营情况

2019年度营业收入4,877,143.4   万元新台币;2019年度净利润为125,638.7万元新台币

2019年度营业收入为3,499,541万新台币;2019年度净利润为301,196万新台币

2019年度收入320,291.71万元;2019年度净利润为60,527.44 万元

2019年度收入36,298.96万元;2019年度净利润为3,232.08万元

市场地位

2019年全球DRAM第五2019年Q3全球NOR第一

2019年Q3全球NOR第二

2019年Q3全球NOR第三

2019年市场份额较低

技术实力

2019年度报告未披露

截至2019年12月,累计拥有全球8,018件专利

截至2019年12月,已取得专利607项

截至2020年3月,已取得发明专利19项

技术实现情况

SLCNAND32nmNOR Flash58nmDDR 25nmLPDDR 25nm

SLCNAND19nmNOR Flash55nm

SLCNAND 24nmNOR Flash 55nm

NOR Flash 40nm

核心竞争力关键指标

SLC NAND

1、  工作温度-40℃至105℃

2、工作电压 3v/1.8v

3、可靠性:

1)擦写次数:10 万次

2)数据保存时间:10年

1、工作温度-40 ℃ 至105℃

2、工作电压 3v/1.8v

3、可靠性

1)擦写次数:10 万次

2)数据保存时间:10 年

1、工作温度-40℃至105℃

2、工作电压 3v/1.8v

3、可靠性

1)擦写次数:10万次
2)
数据保存时间:10年

-

NOR

1、工作温度-40℃至125℃

2 、 工 作 电 压3v/1.8v/1.2v

3、可靠性

1)擦写次数:10 万次数据保存时间:20年

1、工作温度-40 ℃ 至125°C

2、工作电压5v/3v/1.8v/1.2v

3、可靠性

1)擦写次数:10 万次

2)数据保存时间:20 年

1、工作温度-40℃至125℃

2、工作电压3v/2.5v/1.8v

3、可靠性

1)擦写次数:10 万次

2)数据保存时间:20年

1、工作温度-40℃至85℃

2 、工 作 电 压3.3v/1.8v

3、可靠性

1)擦写次数:10 万次

2)数据保存时间:20 年

DDR3

1、工作温度-40 ℃ 至85℃

2、工作电压 1.5v/1.35v

3、传输速率:2133Mbps

-

-

-

LPDDR2

1、工作温度-40 ℃ 至85℃

2、工作电压 1.8v/1.2v

3、传输速率:1066Mbps

-

-

-

资料来源:观研天下整理

       虽然国内存储芯片市场与国外相比,还存在较大差距,但只要各家企业坚持以领先企业为目标进行技术赶超的同时,结合自身技术特点和市场需求,专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应,与行业领先企业形成差异化竞争,将持续向好发展。(CT)

         更多深度内容,请查阅观研报告网:
        《2021年中国存储芯片市场分析报告-市场现状与前景评估预测》

        行业分析报告是决策者了解行业信息、掌握行业现状、判断行业趋势的重要参考依据。随着国内外经济形势调整,未来我国各行业的发展都将进入新阶段,决策和判断也需要更加谨慎。在信息时代中谁掌握更多的行业信息,谁将在未来竞争和发展中处于更有利的位置。

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