导读：国家“02 专项”对半导体设备发展提升显著 Si C 与 Ga N 逐渐成为功率半导体器件重要材料 第三代半导体发展市场巨大。02 专项在“十二五”期间重点实施的内容和目标分别是:重点进行 45-22纳米关键制造装备攻关，开发 32-22 纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺、90-65 纳米特色工艺，开展 22-14 纳米前瞻性研究，形成 65-45纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链。
参考《2017-2022年中国半导体行业竞争态势及十三五运行态势预测报告》
国家“02 专项”对半导体设备发展提升显著
02 专项在“十二五”期间重点实施的内容和目标分别是:重点进行 45-22纳米关键制造装备攻关，开发 32-22 纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺、90-65 纳米特色工艺，开展 22-14 纳米前瞻性研究，形成 65-45纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链，进一步缩小与世界先进水平差距，装备和材料占国内份额分别达 10%和 20%，进一步开拓国际市场。
国家“十三五”科技创新规划对半导体材料设备领域发展做出了完整规划。要求 2020 年攻克 14/28 纳米刻蚀设备、光刻机等关键设备，研制成功 12 寸硅片等材料，重大关键材料自给率达到 70%以上。
第三代半导体材料在射频和功率半导体领域极具应用前景
以碳化硅（Si C）、氮化镓（Ga N）为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力，因而更适用于高温、高频、抗辐射及大功率等场景。
Si C 和 Ga N 逐渐成为功率半导体器件的重要材料
Si C 功率器件相比 Si 器件可以更有效地实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。全球 Si C 与 Ga N 功率半导体产值，将由 2015 年的 2亿 1000 万美元，快速增长至 2020 年的 10 多亿美元，2025 年将有望达到 37 亿美元。
在射频应用领域，随着 4.5G 的部署与 5G 的临近，Ga N 对更高的无线频段，以及毫米波频段更有应用优势。Ga N 能够在最小的单位面积下发射最大的功率，支持更快的传输速率。随着 5G 时代的临近，Ga N 高频特性的优势将会逐步体现。
重点应用领域和国产化替代需求为第三代半导体发展提供巨大市场
我国风能、4G/5G 移动通信、高铁、电动汽车、智能电网、半导体照明等产业发展如火如荼，是第三代半导体大显身手的主要应用领域，如4G/5G 通信基站和终端使用的 Ga N 微波射频器件和模块，高速铁路使用的 Si C 基牵引传动系统，风能电场和电动汽车使用的 Ga N 或 Si C 电能逆变器或转换器，智能电网使用的 Si C 大功率开关器件等。
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