第三代半导体材料在射频和功率半导体领域极具应用前景分析

导读：第三代半导体材料在射频和功率半导体领域极具应用前景分析。以碳化硅（Si C）、氮化镓（Ga N）为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。

          参考《2016-2022年中国半导体材料市场现状专项调研及十三五投资规划研究报告》
      以碳化硅（Si C）、氮化镓（Ga N）为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力，因而更适用于高温、高频、抗辐射及大功率等场景。

         Si C 和 Ga N 逐渐成为功率半导体器件的重要材料

         Si C 功率器件相比 Si 器件可以更有效地实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。全球 Si C 与 Ga N 功率半导体产值，将由 2015 年的 2亿 1000 万美元，快速增长至 2020 年的 10 多亿美元，2025 年将有望达到 37 亿美元。 在射频应用领域，随着 4.5G 的部署与 5G 的临近，Ga N 对更高的无线频段，以及毫米波频段更有应用优势。Ga N 能够在最小的单位面积下发射最大的功率，支持更快的传输速率。随着 5G 时代的临近，Ga N 高频特性的优势将会逐步体现。

         重点应用领域和国产化替代需求为第三代半导体发展提供巨大市场

         我国风能、4G/5G 移动通信、高铁、电动汽车、智能电网、半导体照明等产业发展如火如荼，是第三代半导体大显身手的主要应用领域，如4G/5G 通信基站和终端使用的 Ga N 微波射频器件和模块，高速铁路使用的 Si C 基牵引传动系统，风能电场和电动汽车使用的 Ga N 或 Si C 电能逆变器或转换器，智能电网使用的 Si C 大功率开关器件等。

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