国内存储器产业崛起 有望打破海外寡头垄断格局

导读：国内存储器产业崛起 有望打破海外寡头垄断格局。  目前国内存储芯片市场规模近 2000 亿元，占整个半导体市场规模的22%。

        参考《2016-2022年中国存储器行业运营现状调查及十三五竞争战略分析报告》
    目前国内存储芯片市场规模近 2000 亿元，占整个半导体市场规模的22%，晶圆产能和资本支出占比近 1/3。而我国存储器几乎完全依赖进口供给，已成为半导体产业受外部制约最严重的基础品类之一。布局储存器已成为我国半导体发展大战略中势在必行的一步，存储器行业成为大陆半导体投资的重要方向。

       DRAM 和 NAND Flash 是存储器市场最大的两种产品门类。目前 DRAM 全球市场规模约 410 亿美元，基本被三星，海力士，美光三家垄断了 95%以上的市场。NAND Flash 市场全球市场规模约 300 亿美元，几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光垄断，市占率约为 99%。由于存储器生产具备严格的工艺要求和规模效应，以及该行业典型的周期性，持续的资金投入是存储器企业渡过亏损期的重要保证。
       “十三五科技创新规划”要求进行下一代非易失性存储器、忆阻器等新原理组件开发，14 纳米存储芯片成套工艺及封测技术研究。我国发展存储器的研发、建线和渡过亏损期所需的大量资金将逐步到位，依托顶层规划下巨额资金的长期稳定投入，未来有望打破海外巨头的垄断格局，逐步加快存储器产业进口替代的进展。 海外并购+国内产业资源整合，大陆存储器版图初步成型

在集成电路产业基金推动和国家政策的引导支持下，大陆存储企业通过海外并购和国内存储资源整合两条路径并行发展，目前已经呈现出较好的发展态势。 海外并购：以武岳峰和清芯华创为代表的上海和北京集成电路产业基金联合收购了美国 DRAM 生产商 ISSI，随后由兆易创新定增收购；东芯半导体收购了韩国三星、海力士之后第三大存储器生产商 Fidelix 25.3%的股权，成为第一大股东及实际控制人。 国内整合： 2016 年 3 月，大基金投资 240 亿美元助推武汉新芯重点开发 3D NAND 存储器。2016 年 7 月，由大基金等出资，在武汉新芯的基础上，成立了长江存储，主要产品为 3D NAND，将共享紫光和武汉新芯的资金平台、研发技术、市场渠道。

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