导读：随着智能手机功能的越来越强大，用户需要更大的存储容量存应用程序和资料，再加上用户对电影、照片等超高清画质的要求，目前的手机存储空间依然不够用。
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随着智能手机功能的越来越强大，用户需要更大的存储容量存应用程序和资料，再加上用户对电影、照片等超高清画质的要求，目前的手机存储空间依然不够用。为了给用户、专业级玩家提供超大容量的存储空间，高分辨率摄影和 4K 视频录制，以及满足图形处理密集型的多媒体虚拟现实和游戏任务，2016 年已有很多旗舰机增加 128GB 容量选择，比如：iPhone 7、Galaxy S7、乐视 Max Pro、小米 5、vivo Xplay 5、OPPO R9Plus 等。
同时，笔记本电脑已经开始由 HDD（机械式硬盘）向 SSD（固态硬盘）迁移，原因在于 SSD 具有低耗电、耐震、稳定性高、耐低温等优点。SSD 利用 NAND Flash 特性，以区块写入和抹除的方式来作读写的功能，因此在读写的效率上，非常依赖闪存技术的发展。
iPhone 7 采用 128G的 NAND flash 芯片
随机读写以及开机速度是 HDD 永远追不上 SSD的地方
现有的2D NAND FLASH 闪存技术始终无法突破 128G 的瓶颈， 主要是受到存储颗粒规格、手机内部空间等因素的限制 。所以3D NAND FLASH 应运而生 ， 彻底解决2D 平面型闪存的缺陷，使用更先进的制程，增加存储密度，同时避免各级之间相互干扰的问题。 基于更加先进制造工艺的3D NAND 需要更高质量的大硅片为物理基础。
3D NAND 与2D NAND 的区别
主流厂商的的3D NAND 工艺节点
三星是 3D NAND 技术领导者，三星 2016 年扩大 48 层 3D NAND 量产，并计划在年底实现 64 层 TLC V-NAND 量产，而基于 48 层 3D NAND 技术，NAND Flash 容量可提高至 256Gb。基于 3D NAND 容量和高性能优势，三星已全面将 V-NAND 应用到 SSD中，如今正在加快导入到嵌入式产品 UFS 和闪存卡中应用。
东芝的 3D 技术也采用的是 48 层，除了改建的 Fab 2 将在 2016 年投产外，还计划在 2016-2018 年期间投资 70 亿美元，在三重县四日市买地建新厂 Fab 6，专门作 3DNAND；SanDisk 也开始进行 3D NAND Flash 初期小量试产，它的 M14 厂第 2 阶段将从 2016 年下半年加入生产行列，满足 3D NAND Flash 市场需求；美光目前已将 3DNAND 的样本送往客户进行测试，新建的 Fab 10x 工厂预计将在 2016 下半年开始投产新一代的 3D NAND；英特尔的大连厂将投资 55 亿美元，把原先的 12 英寸逻辑电路生产线改造后量产 3D NAND，时间在 2016 Q4；日经新闻报导,SK 海力士于 2016 年 2 月宣布将砸 15.5 兆韩元（125 亿美元），再盖一座新存储器工厂，新厂预计将在 2018 年正式动工、2019 年投产。
另有国内方面，武汉新芯计划投资 240 亿美元，加入 3D NAND 制造，预期 2018年实施量产。它的研发工作己经准备了两年，并与 Spansion、中科院微电子研究所等合作，目前己完成 8 层 NAND 芯片。
三星 3D NAND 技术节点
3D NAND 芯片技术难度大
国际存储大厂纷纷投入3D NAND 晶圆的怀抱， 领先者如三星继续扩大晶圆制造的规模，追随者如东芝、美光、英特尔等也加大投资力度 ，奋力追赶。3D NAND 的投资热潮将刺激 300mm 大硅片的需求。
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