导读：自集成电路诞生以来，在半导体制造领域始终遵守大名鼎鼎的摩尔定律。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登〃摩尔提出来的，其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
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从需求端来看 ，硅片需求开始复苏 ，增长迅速 ，主要因素是四个方面 ：1）全球晶圆代工大厂台积电、三星电子、英特尔进入高端制程工艺竞赛，包括台积电投入7/10/16/28nm 制程，英特尔投入 14/22nm 制程，近 3 年的资本支出都高达 80 亿~110亿美元，至于联电、三星及 GlobalFoundries 等亦陆续扩充 28、14nm 制程产能；2）三星、SK 海力士、英特尔／美光、东芝等 NAND Flash 阵营，全力投入 3D NAND 扩产，以因应智能手机存储、固态硬盘(SSD)、eMMC/eMCP 等各种采用 3D NAND 芯片的应用需求；3）汽车半导体、CIS 图像传感器、MCU 微控制器等芯片快速普及；4）大陆半导体厂商大举扩产，更是不可轻忽的势力，大陆既有 12 寸厂合计月产能约 46 万片，建臵中的产能约 63 万片，未来大陆 12 寸厂单月产能将高达 109 万片，包括中芯国际等大陆厂商在上海、深圳等地新建的 12 寸厂，以及台积电南京厂、联电厦门联芯、华力微二厂，加上福建泉州 DRAM 厂、武汉新芯 3DNAND 厂等，产能增加规模相当可观。
四大因素将导致半导体硅片供不应求
自集成电路诞生以来，在半导体制造领域始终遵守大名鼎鼎的摩尔定律。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登〃摩尔提出来的，其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
要实现单位面积容纳电子元器件数目的增多，就对每个元器件的尺寸大小不断有着更高的要求，因而半导体制造工艺不断向小尺寸前进，这与摩尔定律完全正相关。从 1970年左右的 5 微米 MOSFET 工艺，到 1990 年左右的 1 微米 Trench 工艺，再到 2000 年左右的 0.13 微米 Strain 工艺，直到 2015 年左右的 16nmFinFET 工艺， 半导体制造行向 业不断采用新的技术方案来实现更小尺寸的工艺制程，如今正向 10nm 工艺制程挺进。
1960-2015 年半导体制造工艺制程与技术方案演进情况
根据年报数据，台积电将在 2016 年第三季度量产 10nm 工艺，2017 年第一季度试产 7nm 工艺，领先全球。14nm 工艺，台积电、三星、台联电在 2014年底、2015 年已经实现量产，目前各家正投入大笔资金从事 10/7nm 工艺的研发。
全球六大IC 制造企业工艺节点
为了实现先进的晶圆制造工艺 ，台积电 、英特尔、三星电子每年的资本开支高达80-120 亿美元
全球主要 IC 制造厂商资本开支（百万美元）
先进的工艺制程是芯片发展的必然需求，消费电子和汽车 、 工业对芯片性能的要求越来越高，这需要更加先进的晶圆制造工艺来支撑。硅片作为芯片的物理基础，对于芯片性能和工艺水平起到至关重要的作用，对先进工艺的竞赛促进了高纯度 、高质量大硅片的需求。
ARM 完成 10nm 芯片架构设计，性能大幅提升
20nm 以下的先进工艺制程将在整个晶圆代工中的比例越来越高， 芯片性能的提升需求将推动晶圆代工工艺快速演进 。根据预测，2020 年开始，10/7nm 将成为份额最大的工艺制程形式，先进的工艺对高质量硅片的需求越来越大，同时晶圆代工先进工艺的良率较低也将导致更多硅片的消耗。
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