器件种类 |
产品 |
具体应用产品 |
市场领先参与者 |
存储种类 |
市场规模 |
应用场景 |
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易失性 |
DRAM |
内存条(广泛应用于一切电子产品中) |
华邦、旺宏、兆易创新、Cypress、美光 |
应用存储 |
20-30亿美元 |
应用运行中,数据程序的内存空间 |
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非易失性 |
NOR Flash |
主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、IOT、汽车电子、穿戴式设备、安防监控、人工智能 |
三星、SK海力士、美光、南亚、华邦 |
密码存储 |
20-30亿美元 |
在断电情况下仍能保持所存储的少量密码信息 |
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NAND Flash |
SLC |
网络通讯、语音存储、打印机、穿戴式设备、智能电视、机顶盒、工业控制、企业级存储 |
三星、SK海力士、英特尔、美光、西数、铠侠 |
数据存储 |
20-30亿美元 |
在断电情况下仍能保持所存储的数据信息 |
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MLC |
手机、电脑、SSD、AR/VR、数据中心、Cloud、服务器 |
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TLC |
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3D Nand |
根据数据显示,2019年,我国存储器芯片行业市场规模为123.8亿元,较上年同比增长17%;2020年,我国存储器芯片行业市场规模为**亿元,较上年同比增长**%。
一、 优势分析
(1)存储器芯片是半导体存储产品的核心,是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元,其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。随着大数据、云计算、物联网等发展,存储器芯片在整个电子信息产业链中扮演的角色将更加重要。
(2)存储器芯片传统应用市场规模稳定,近年来,随着技术发展,汽车、可穿戴设备等新兴领域的存储器芯片需求不断扩大。
应用市场 |
需求分析 |
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汽车领域 |
数据存储需求 |
汽车电子系统开始支持GUI、语音识别、高级数据处理功能产生大量数据存储需求 |
口令存储需求 |
随着汽车智能化发展,搭载更多即时启动应用,而及时启动最佳解决方案为NOR Flash, |
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可穿戴设备领域 |
可穿戴设备直接拉动NOR Flash用量 |
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TDDI(触控与显示驱动器集成)的大量应用,促使Flash芯片爆发式增长 |
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每年AMOLED屏幕搭载NOR Flash市场空间在1亿美元左右 |
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大量可穿戴设备接入使得数据存储量爆发式增长 |
二、劣势分析
(1)当前我国NOR Flash芯片技术基本成熟,但在DRAM、NAND Flash芯片领域仍与国际领先水平存在技术差异。
(2)存储器芯片产品具备典型的大宗商品属性,差异化竞争较小。加之不同企业生产的产品技术指标基本相同,标准化程度较高,因此品牌化程度较弱,用户粘性低。
电子整机下游消费者方面:消费者通常只考虑存储芯片的存储量是64G还是128G,对品牌不会有过多关注。存储器芯片厂方面:行业壁垒较高,头部企业通常体量大、投资高、规模庞大,下游整机厂在选配存储器芯片时,在产品性能、物理属性等技术性能接近的情况下,报价通常作为第一考量因素。电子整机厂方面:尤其是消费类电子整机出货量通常以亿为计量单位,存储器芯片作为核心存储硬件单元,需求量与其倍数相关,巨量需求下,性价比直接决定品牌的市场份额。
三、机遇分析
(1)近二十年来国家不断出台相关政策鼓励电子信息产业发展。如2017年2月,国家发改委在《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》中提出重点支持电力电子器件核心产业,其中包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、中小功率智能模块。2019年10月,国家工信部在《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》中提到继续支持中国工业半导体领域成熟技术发展,推动中国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发,推动中国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展。政策的支持和鼓励下,我国存储器芯片行业相关企业产能上升,国产替代率有所提高。
时间 |
政策名称 |
颁布主体 |
主要内容 |
2019.10 |
《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》 |
国家工信部 |
工信部就加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的政策扶持、开放合作、关键技术突破、以及人才培养等四个方面做出了答复,工信部将继续支持中国工业半导体领域成熟技术发展,推动中国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新-代产品技术的研发,推动中国工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块产业的发展 |
2017.02 |
《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》 |
国家发改委 |
重点支持电力电子器件核心产业,其中包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、中小功率智能模块 |
2016.11 |
《“十三五”国家战略性新兴发展产业发展规划》 |
国务院 |
加快制定宽禁带半导体标准,推动电子器件变革性升级换代。加强低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光电子、混合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研发,形成一批专用关键制造设备,提升光网络通信元器件支撑能力 |
2016.07 |
《国家信息化发展战略纲要》 |
中央办公厅、国务院办公厅 |
制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要,以体系化思维弥补单点弱势,打造国际先进、安全可控的核心技术体系,带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破 |
2015.05 |
《中国制造2025》 |
国务院 |
到2020年,40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障,受制于人的局面逐步缓解,航天装备、通信装备、发电与输变电设备、工程机械、轨道交通装备、家用电器等产业急需的核心基础零部件(元器件)和关键基础材料的先进制造工艺得到推广应用 |
目前我国主要存储器芯片厂包括长江存储、长鑫存储、福建晋华等,2019年,这三家企业的存储器芯片产能分别为5万片、2万片、2万片。
类别 |
长江存储 |
紫光南京 |
长鑫存储 |
福建晋华 |
产品种类 |
3D
NAND |
DRAM/NAND |
移动式DRAM |
利基型DRAM |
当前制程工艺 |
64层 |
- |
19nm |
20nm |
投资时间 |
2016年12月 |
2017年1月 |
2016年5月 |
2016年7月 |
投资规模 |
240亿美元 |
300亿美元 |
72亿美元 |
56.5亿美元 |
技术来源 |
美国飞索、中科院徽电子所 |
- |
兆易创新 |
联电 |
关键人物 |
高启金 |
- |
王宁国 |
陈正坤 |
设备入厂时间 |
2018年2季度 |
- |
2018年1季度 |
2017年4季度 |
量产时间 |
已实现64制程小规模量产 |
- |
2018年4季度 |
2018年3季度 |
计划月产能 |
10万片 |
10万片 |
4万片 |
6万片 |
2019年量产 |
5万片 |
- |
2万片 |
2万片 |
中长期计划 |
30万/月产能 |
30万/月产能 |
12.5万/月产能 |
20-30万/月产能 |
(2)物联网技术的发展使得设备的网络接入量与整体数据存储量呈现爆发式增长,直接拉动存储器芯片行业的发展。与传统内存处理方案相比,物联网内存处理方案下的DRAM造价较低,有利于逐渐提高整体产品市场渗透率。
四、威胁分析
(1)疫情威胁:受疫情影响,各地节后复工情况步调不一致,整机厂面临一系列疫情带来的制约因素,如供应链上下游延迟复工,或将延期投产;物流速度降低,甚至可能出现停运;产品入关检查的时间和财务成本或增加,为海外销售带来更高挑战等。同时,存储芯片如未能在二季度实现产能顺利爬坡,也会造成库存周转困难,影响产品周期健康有序向上发展的势头。
(2)市场消费信心下降威胁:全球油价下跌背景下,包含存储器芯片在内的电子产品市场消费信心有所下降。
欲了解更多内容,请参阅我们的行业分析报告:
《2021年中国存储器芯片市场分析报告-市场竞争格局与未来趋势预测》
《2021年中国存储器芯片产业分析报告-产业竞争格局与未来动向研究》
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